Intel ha alcanzado un importante hito en el desarrollo de su tecnología de fabricación de chips al procesar 30.000 obleas utilizando sus nuevas herramientas de litografía High-NA EUV (Ultravioleta Extremo de Alta Apertura Numérica) de ASML.
Según reveló el ingeniero Steve Carson de Intel durante la conferencia SPIE Advanced Lithography + Patterning, la compañía instaló dos sistemas Twinscan EXE:5000 de ASML en su planta de desarrollo D1 cerca de Hillsboro, Oregon, el año pasado.
Estas máquinas de última generación, con un costo estimado de 350 millones de euros cada una, representan un avance sustancial en la fabricación de semiconductores. Los sistemas High-NA EUV pueden lograr una resolución de hasta 8 nanómetros en una sola exposición, superando significativamente a los sistemas Low-NA EUV actuales que ofrecen una resolución de 13.5 nanómetros.
Intel planea utilizar esta tecnología para la producción de sus chips 14A (clase 1.4nm) en los próximos años. Al ser el primer fabricante líder en adoptar estas herramientas, Intel obtiene una ventaja estratégica para desarrollar diversos aspectos de la fabricación High-NA EUV, como vidrios para fotomáscaras y productos químicos especializados.
Si bien el procesamiento de 30.000 obleas está por debajo de la capacidad de los sistemas comerciales, representa un volumen considerable para uso en investigación y desarrollo, demostrando el compromiso de Intel por liderar la era High-NA EUV en la fabricación de semiconductores.
Aunque ASML considera estos sistemas como herramientas de pre-producción, Intel ha reportado que son "más confiables que los modelos anteriores", lo que sugiere avances prometedores en la madurez de esta tecnología revolucionaria.